SiC 混合模塊
碳化硅（SiC）混合模塊是具有高功率密度的 IGBT 集成功率模塊。它們的開(kāi)關(guān)損耗比非混合模塊更低，工作溫度也高于其他類(lèi)型的半導(dǎo)體。碳化硅混合模塊可用于要求低損耗的大功率應(yīng)用。對(duì)于需要高頻開(kāi)關(guān)的系統(tǒng)，碳化硅混合模塊的效率更高。
顯示 個(gè)結(jié)果
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VCES (V)
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650
-
1200
重置篩選
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IC (A)
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300
-
450
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600
重置篩選
-
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VCE(sat) (V)
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1.40
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1.85
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1.90
重置篩選
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RthJC (K/W)
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0.048
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0.065
-
0.25
重置篩選
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-
Tjmax
-
175℃
重置篩選
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-
Packages
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GHP
-
GWB
重置篩選
-
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Type
|
VCES (V)
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IC (A)
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VCE(sat) (V)
|
RthJC (K/W)
|
Tjmax
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Packages
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|---|---|---|---|---|---|---|
篩選
重置篩選 |
篩選
重置篩選 |
篩選
重置篩選 |
篩選
重置篩選 |
篩選
重置篩選 |
篩選
重置篩選 |
